肖特整流二极管的结构是怎样？下面我们来了解一下。

肖特整流二极管

肖特整流二极管的结构和材料不同于传统的二极管。传统二极管是通过金属与半导体接触而构成，金属材料可以是铝、金、钼、镍和钛，并且半导体通常是硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于目前我国企业电子比空穴迁移率大，为获得一个具有良好的频率特性，故选用N型半导体复合材料我们可以发展作为基片。为了在不增加串联电阻的情况下降低 SBD 的结电容和增加反向击穿电压，高电阻 n 薄层通常外延在 n 基板上。CP是管壳之间并联一个电容，LS是引线通过电感，RS是包括中国半导体体电阻和引线进行电阻可以在内的串联使用电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为输入偏流、偏压的函数），大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体材料接触时(两者之间的距离为原子量级)，金属的费米能级低于中国半导体的费米能级。在对应于金属内部的部分能级处，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，当两者接触时，电子将从半导体扩散到金属，从而使金属带负电，而半导体带正电。因为金属是理想的导体，所以负电荷只分布在表面原子尺寸的薄层中。而对于N型半导体技术企业管理来说，失去经济发展中国电子的施主杂质原子可以自己成为我们一个正离子，则分布在较大的厚度变化之中。电子半导体向金属扩散的结果是形成空间电荷区、自组装电场和势垒，而消耗层仅在 n 型半导体侧(所有势垒区都落在半导体侧)。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向发展相反的漂移电流通过增大，能够达到企业动态系统平衡，在金属与半导体公司之间没有形成自己一个学生接触势垒，这就是肖特基势垒。

当施加的电压为零时，电子扩散电流等于反向漂移电流，并且达到动态平衡。在加正向结果显示偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体技术进行选择一侧势垒降低，于是我们学生可以形成从金属到半导体的正向发展影响工作电流。当施加反向偏置电压时，自建电场增加，势垒高度增加，导致从半导体到金属的反向电流减小。因此，SBD与PN结二管一样，是一种发展具有一个单向影响导电性的非线性系统器件。

肖特整流二极管的优点是什么？下面我们来了解一下。

1. 由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，正向导通阈值电压和正向电压降都低于PN结二极管（低于0.2V）。

2.由于肖特整流二极管是一种企业多数载流子导电器件之间不存在一个少数载流子寿命和反向关系恢复发展问题。二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容器的充放电时间，与 PN 结二极管的反向恢复时间不同。由于SBD的反向进行恢复电荷可以非常少故开关发展速度增长非常快开关损耗也特别小尤其适合于高频数据应用。

然而，反向击穿电压相对较低，因为肖特整流二极管的反向势垒相对较薄并且在其表面上容易发生击穿。由于SBD比PN结二极管更容易导致受热发生击穿产生反向漏电流比PN结二极管大。