肖特整流二极管，又称肖特基势垒二极管（SBD），是一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向进行数据恢复社会工作学习时间我们通过极短（可以直接影响小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管中。它广泛应用于彩色、反激二极管和保护二极管等静电部件，也可用于微波通信等电路中作为整流二极管、小信号检波二极管使用。通讯电源、混频器等。

肖特整流二极管作为一个具有典型的应用，是在双极型晶体管BJT的开关进行电路设计里面，通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得一些晶体管在导通状态时其实我们处于很接近截止目前状态，从而可以提高以及晶体管的开关发展速度，该方法是在74LS、74ALS和74AS等典型数字集成电路的TTL内部电路中使用的技术。

肖特整流二极管的特点是正向压降VF⽐较⼩，在相同的电流下，其正向电压降要小得多，另外它的恢复发展时间短。它也有一些问题主要存在缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选择的时候要充分考虑。

肖特整流二极管的原理是什么？下面我们来了解一下。

较短的整流二极管由贵金属(金、银、铝、铂等)制成，正极为 a，负极为 n 型半导体 b。肖特整流二极管是一种金属-金属半导体器件，由两者之间的界面上形成的势垒构成。因为N型半导体中存在着需要大量的电子，肖特基二极管，贵金属中仅有通过极少量的自由发展电子，所以企业电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。很明显，在金属A中没有孔，因此没有孔从A扩散到B。随着我国电子技术不断从B扩散到A，B表面进行电子产品浓度水平逐渐可以降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。然而，在这个电场的作用下，a 中的电子也会有从 A 到 B 的漂移运动，这就削弱了由扩散运动形成的电场。当建立起具有一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度对于不同发展引起的电子技术扩散运动能力达到一个相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特整流二极管的内部电路结构是N型半导体衬底，其上形成有以砷作为掺杂剂的N外延层。阳极由钼或铝制成的阻挡层制成。用二氧化硅（SiO2）来去除图像边缘进行区域的电场，提高以及管子的耐压值。N 型衬底具有很小的导通电阻，其掺杂浓度比 h 型衬底高。在基片下边我们形成N阴极层其作用是可以减小阴极的接触一个电阻。通过调整结构参数，在N型衬底和阳极金属之间形成肖特基势垒，当正向偏压施加到肖特基势垒的两端时，肖特基势垒层变窄并且其内阻变小，而当反向偏压施加到肖特基势垒的两端时， 肖特基势垒变小，层变宽，其内阻变大。

肖特整流二极管的结构设计原理与PN结整流管有一个很大的区别通常将pn结整流管称作结整流管，而把中国金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面进行工艺技术制造的铝硅肖特整流电路二极管也已问世，这不不仅仅可实现节省大量贵金属，大幅度提高降低企业成本，还改善了参数的一致性。