肖特整流二极管可在铅和表面贴装(SMD)封装。选用有引线式封装的肖特基二极管进行一般可以作为一个高频大电流通过肖特整流二极管、续流二极管或维护二极管技术运用，它有单管和对管（双二极管）两种类型的封装。肖特基对管具有公共阴极(连接两个管的负极材料)、公共阳极(连接两个管的正极)和串联连接(一个二极管的正极连接到另一个二极管的负极)可以三种主要方式引出。

采用不同表面进行封装的肖特整流二极管有单管型、双管型和三管型等多种数据封装结构形式，有A~19种管脚引出教学方式。

肖特整流二极管的优点是什么？下面我们来了解一下。

较短的肖特整流二极管具有高开关频率和低正向电压降的优点，但它们的反向击穿电压较低，大部分不高于60V，只有约100V，因此限制了它们的应用,像在一个开关控制电源（SMPS）和功率进行因数校正（PFC）电路中功率选择开关主要器件的续流二极管、变压器作为次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器设计电路工作中用600V～1.2kV的高速二极管技术以及PFC升压用600V二极管等，只有我们使用企业快速发展恢复经济外延二极管（FRED）和超快速得到恢复二极管（UFRD），UFRd的反向恢复时间Trr大于20ns,不能满足空间站1MHz～3MHz SMPS的要求。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关设备损耗均较大，壳温很高，需用一个较大的散热器，从而使SMPS体积和重量可以增加，不符合企业小型化和轻薄化的发展变化趋势。因此，开发100V 以上高压 SBD 已成为一个研究课题和关注的焦点。近几年，肖特整流通过二极管已取得了一些突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经成为上市，使用一种新型建筑材料进行制作的超过1kV的SBD也研制中国成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

肖特整流二极管具有低的反向偏置电压和大的反向泄漏电流，与使用硅和金属作为数据的肖特整流二极管一样，其反向偏置电压具有仅为50V的额外耐受电压极限。 然而，反向漏电流是一个正温度特性，随着温度的升高，其增加很快，因此在实际规划中应注意热失控的隐患。为了可以防止出现上述的问题，肖特基二极体实践运用时的反向控制偏压都会比其额外值小许多。然而，肖特整流二极管的技术也得到了改进，反向偏置额定值高达200V。

短整流二极管的结构和特点使其适用于低压大电流输出的高频整流、 X 波段、 C 波段、 S 波段和 Ku 波段的高频检测和混频以及高速逻辑电路中的钳位。在IC中也常使用二极管，像二极管TTL集成系统电路早已发展成为TTL电路的主流，在高速计算机网络中被应用广泛研究采用。

除了常规pn结二极管特性参数外，用于检测和混频的二极管的电参数还包括中频阻抗（指当施加额定本机振荡器功率时二极管对给定中频所表现的阻抗，一般在200 Ω～600 Ω 之间）、驻波比（一般 ≤ 2）和噪声系数等。